日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃

產(chǎn)品名稱: 日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃

產(chǎn)品型號(hào):

產(chǎn)品特點(diǎn): 日本thermocera高溫階段“基板加熱"1800℃
加熱，板上/下板，板旋轉(zhuǎn)，RF / DC板偏置
可以根據(jù)設(shè)備配置自由定制，Depo-Up和Down，定制板支架，板旋轉(zhuǎn)/上/下/上/下，傾斜加熱和反向?yàn)R射等各種功能都包含在該單元中。
各種加熱絲：NiCr，石墨，CCC，Inconel，鎢，鉬，SiC / PBN / PG涂層，鹵素?zé)艉推渌?0種類型

日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃ 的詳細(xì)介紹

日本thermocera高溫階段“基板加熱”1800℃

加熱，板上/下板，板旋轉(zhuǎn)，RF / DC板偏置

可以根據(jù)設(shè)備配置自由定制，Depo-Up和Down，定制板支架，板旋轉(zhuǎn)/上/下/上/下，傾斜加熱和反向?yàn)R射等各種功能都包含在該單元中。
各種加熱絲：NiCr，石墨，CCC，Inconel，鎢，鉬，SiC / PBN / PG涂層，鹵素?zé)艉推渌?0種類型

總覽

基板加熱階段需要加熱階段，例如垂直提升機(jī)構(gòu)（基板支架和加熱頭中的一個(gè)或兩個(gè)），基板旋轉(zhuǎn)，RF / DC基板偏壓（反向飛濺RF / DC清潔）和加熱部分傾斜。它是具有多種功能的“多合一”組件。我們可以滿足對(duì)半導(dǎo)體制造設(shè)備和各種真空設(shè)備（氣相沉積設(shè)備，濺射，CVD設(shè)備）的所有要求。

基板加熱加熱器，晶片加熱，加熱臺(tái)，晶片退火 2寸熱舞臺(tái)_800C

基板加熱加熱器，晶片加熱，加熱臺(tái)，晶片退火晶圓托盤_提起

應(yīng)用/用例

?半導(dǎo)體制造，薄膜的實(shí)驗(yàn)設(shè)備，RF / DC反濺射，PECVD，RIE等
?用熱臺(tái)（800℃說(shuō)明書→修飾以醉高1600℃）更換現(xiàn)有設(shè)備的加熱機(jī)構(gòu)
?新工藝評(píng)價(jià)機(jī)器，樣機(jī)，等